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德國科隆大學Alexander Grüneis課題組--石墨烯上外延應變堿金屬量子阱中的大量無質量電荷載流子
       本文中,我們證明了嵌有Cs的雙分子層石墨烯,可作為承載高電子質量量子阱態的應變Cs薄膜生長的基底。Cs膜以fcc相生長,其晶格常數顯著降低,為4.9Å,與本體Cs相比,壓縮應變為11%。我們利用角分辨光發射光譜法研究了其電子結構,并在二維空間中顯示了無質量Dirac和大型Schrödinger電荷載流子的共存。通過對大量載流子的電子自能的分析,揭示了實現二維費米氣體的晶體學方向。我們的工作介紹了在夾層Dirac上應變金屬量子阱的生長。
 
 
Fig. 1 雙層石墨烯/ Ir(111)的表征。
 
 
Fig. 2 Cs蒸發后雙層石墨烯/Ir(111)的表征。
 
  
Fig. 3 帶結構計算與ARPES實驗的比較。
 
 
Fig. 4 量子阱態的自能分析。
 
      相關研究成果于2020年由德國科隆大學Alexander Grüneis課題組,發表在Nature Communications(https://doi.org/10.1038/s41467-020-15130-1)上。原文:Massive and massless charge carriers in an epitaxially strained alkali metal quantum well on graphene
 
摘自《石墨烯雜志》公眾號:


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